DRAM制程微缩 测试需求大增

　　DRAM现货价近期再度跌破二美元，DRAM厂为了有效降低单位生产成本，已加速七○奈米制程微缩工程。然七○奈米投片比重逐步拉高，每片晶圆可切割出的裸晶数将增加四○％至五○％，对于后段封装及测试的需求已大增，而新制程良率尚未达到九○％以上成熟阶段，又需要较长测试时间支持，所以国内存储器封测厂近来产能利用率均飙上九成以上，其中力成受惠最大，外资估算本月营收就会轻易突破二十亿元。

　　在英特尔及超微大幅调降中央处理器（CPU）价格后，第三季主机板及笔记型计算机厂出货量大增，DRAM市场虽也进入传统旺季，但因市场库存水位仍高，所以合约价在八月下旬停止涨势，现货价也回跌至二美元以下。为了有效降低DRAM单位平均成本，国内外DRAM厂均全力进行七○奈米的制程微缩，因为只要七○奈米制程良率达九成以上，五一二Mb DRAM的晶圆制造成本就可压缩至一美元至一．一美元，以利提振低迷的毛利率。

　　不过DRAM厂加速七○奈米微缩，却成为国内存储器封测厂一大利多。封测业者表示，七○奈米的单晶圆片裸晶数将较九○奈米增加四○％至五○％，所以DRAM厂的七○奈米投片比重愈高，每月产出DRAM颗粒数亦将愈多，当然后段封装测试厂的接单量也相对愈大，如现在力成、泰林、华东等封测厂的产能利用率均已拉升至九成以上满水位。

　　此外，七○奈米制程良率因仍未达九成以上成熟阶段，所以DRAM厂在三至六个月时间内，无法降低晶圆测试及成品测试时间，现在单颗七○奈米DRAM测试时间约四百秒至五百秒，与九○奈米DRAM测试时间已缩减至四百秒以下情况来看，DRAM厂的七○奈米投片量愈高，以拥有最大测试产能力成受惠最大。

　　现阶段力成前三大DRAM客户中，力晶、尔必达、茂德等已不断拉高七○奈米投片比重，下半年力晶及尔必达合资的瑞晶又将开始投片量产，所以整体来看，力成下半年产能利用率将可持续维持在九成以上高档，不受DRAM价格波动影响。